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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 -26% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
38
读取速度,GB/s
8.9
8.9
写入速度,GB/s
5.9
6.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2206
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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