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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.1
16.4
写入速度,GB/s
7.8
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3005
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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