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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
40
左右 -122% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
18
读取速度,GB/s
13.1
17.9
写入速度,GB/s
8.5
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
3871
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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