Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 44

Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.4 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 34
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 15.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 2583

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

модули RAM

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

Kingston 9905402-414.A00LF 2GB

Kingston 9905402-414.A00LF 2GB

Kingston 9905471-001.A00LF 2GB

Kingston 9905471-001.A00LF 2GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

Kingston 9905743-044.A00G 16GB

модули RAM