Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB

Различия

  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 44
    Около -100% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.7 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 22
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.2 left arrow 15.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 7.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2293 left arrow 2388
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения