RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
57
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
57
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2328
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link