RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
57
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
57
Velocità di lettura, GB/s
11.2
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2328
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link