Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 49

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.8 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 34
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 18.4
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 3447

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905734-102.A00G 32GB

Kingston 9905734-102.A00G 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905743-045.A00G 16GB

Kingston 9905743-045.A00G 16GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

Kingston 9905744-006.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

модули RAM