Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 49

Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.7 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 32
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 18.7
Скорость записи, Гб/сек

7.8 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 3659

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905743-045.A00G 16GB

Kingston 9905743-045.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

Kingston 99U5702-020.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5643-001.A00G 8GB

Kingston 99U5643-001.A00G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM