RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3596
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link