RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3596
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link