RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3238
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link