G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около 21% меньшая задержка

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.6 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 33
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 15.6
Скорость записи, Гб/сек

8.4 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 2562

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

Kingston 9905711-038.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB

модули RAM