RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2559
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link