RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3317
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link