RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
67
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
67
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1850
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link