Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

49 62

Около 21% меньшая задержка

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.7 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 62
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 16.2
Скорость записи, Гб/сек

7.8 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 1772

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

модули RAM