RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2663
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link