RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2663
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link