RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3000
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link