RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2913
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link