RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3758
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link