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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.1
17.5
写入速度,GB/s
7.8
16.1
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3758
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
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