RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
56
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
56
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
9.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2138
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link