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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 56
    左右 13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 56
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 9.5
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 2138

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
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内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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