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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.1
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
56
读取速度,GB/s
10.1
9.5
写入速度,GB/s
7.8
7.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2138
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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