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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 60
    左右 -54% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    7.7 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 7.7
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 6.8
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 1768

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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