RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pontuação geral
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
60
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.7
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
39
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
6.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
1768
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link