Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 49
    Около -36% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.1 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2070 left arrow 2292
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения