RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2292
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link