RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3140
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link