RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
18.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3611
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link