RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
47
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
2635
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link