RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2871
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link