RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2871
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link