RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
47
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3509
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link