RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4047
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link