RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
42
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
29
Velocità di lettura, GB/s
13.2
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
4047
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link