RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3693
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-870.A01LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link