Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 47

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.9 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 19.9
Скорость записи, Гб/сек

7.8 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3732

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM