RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3632
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link