SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Kingston 9905622-075.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 48

Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.7 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.2 7.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 30
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 13.7
Скорость записи, Гб/сек

7.0 7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1955 2325

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

Kingston 9905622-075.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

Kingston XK2M26-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM