AMD R538G1601U2S-UO 8GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

-->

Средняя оценка

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 85

Около 69% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.2 11.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.0 6.0

Среднее значение в тестах

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 85
Скорость чтения, Гб/сек

14.2 11.3
Скорость записи, Гб/сек

10.0 6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2634 1118

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

модули RAM