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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
85
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
85
读取速度,GB/s
14.2
11.3
写入速度,GB/s
10.0
6.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
1118
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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