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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

総合得点
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R538G1601U2S-UO 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 85
    周辺 69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.0 left arrow 6.0
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 85
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 11.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 6.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2634 left arrow 1118

AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAMの比較

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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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