RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    65 left arrow 67
    Около 3% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.3
    Среднее значение в тестах
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.2 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    65 left arrow 67
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,580.8 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,592.0 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    572 left arrow 2042

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
модули RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
модули RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
модули RAM