Mushkin 991679ES 996679ES 2GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

-->

Средняя оценка

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Причины выбрать
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 63

Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.3 7.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.9 5.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 34
Скорость чтения, Гб/сек

7.7 14.3
Скорость записи, Гб/сек

5.0 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1130 2201

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

модули RAM