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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
7.7
14.3
写入速度,GB/s
5.0
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2201
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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