Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 47

Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 29
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 16.8
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3143

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM