Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 47

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 31
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 16.4
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3042

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

модули RAM

Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB

Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM