RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
104
Около -333% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2821
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link